IRF3703PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF3703PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.41 |
10+ | $3.958 |
100+ | $3.2433 |
500+ | $2.761 |
1000+ | $2.3285 |
2000+ | $2.2121 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 76A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8250 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 209 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 210A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF3703 |
IRF3703PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF3703PBF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 77A TO262
IRF3704STR IR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IR TO-220
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRF3704S IR/VISHAY
FIXED IND 68UH 306MA 1.47 OHM TH
FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
FIXED IND 560UH 120MA 8.5 OHM TH
IRF3703 IR
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
FIXED IND 330UH 137MA 6.4 OHM TH
FIXED IND 4.7UH 620MA 390MOHM TH
MOSFET N-CH 20V 77A TO262
FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRF3704PBF. IR
FIXED IND 820UH 100MA 12 OHM TH
FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF3703PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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